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探讨穿透型、非穿透型和场截止型三种结构的IGBT的特性、制作过程以及这些工艺过程对相应参数的影响,详细论述一些常用概念如穿透、透明集电极的含义,列出最新的沟槽场截止型IGBT的优点和发展趋势。分析了IGBT的电流IC的定义方法,是基于芯片的结温、热阻和饱和导通压降UCES的计算值。系统阐述设计电焊机时如何选取IGBT参数,以及IGBT在开关过程中跨越正温度系数和负温度系数区产生动态均流问题,并给出相应解决方法。