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设计并制作了基于硅基的射频微机械压控电容。该电容采用三对极板的传动结构,当两侧控制极板受到静电力驱动时,位于中部的电容极板将得到更大的位移。能量分析和软件模拟表明,该结构有助于提高压控电容的变化比例。测量表明,该电容品质因数为17@2GHz,并具有较大的电容变化比例(大于50%)。该电容工艺简单,实现温度较低(小于350℃),具有与CMOS工艺集成的可行性。