高注量中子辐照金红石单晶电学特性的研究

来源 :四川大学学报(自然科学版) | 被引量 : 0次 | 上传用户:nimakule119
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金红石单晶体经中子辐照后,不仅由无色透明变为深兰色,而且导电特性发生很大变化,且由高绝缘材料变为n型半导体.作者分别在低温、室温及高温下,研究了样品电阻随温度的变化关系,并在空气和真空气氛下,对比研究了气氛对辐照后样品导电特性的影响.结果表明,金红石晶体经中子辐照后,在低温下具有典型的半导体导电特性;在高温下于空气中退火,样品会被逐渐氧化,最后变为无色的绝缘体;在10-4Pa高真空气氛中退火,样品表现出点缺陷导电行为,且缺陷离子具有两个不同的激发能级(0.06eV和0.12eV),分别对应子H+和Ti3+
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