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期刊论文
B^+,As^+离子注入工艺模拟模型的比较
B^+,As^+离子注入工艺模拟模型的比较
来源 :微电子学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:otto0127
【摘 要】
:
对离子注入分布杂质浓度模拟的不同模型进行了简短的回顾,介绍了在SupremⅣ中采用的双Pearson分布模型。通过对B^+及As^+在不同剂量和能量下对硅中的注入,采用SIMS进行浓度分布测试,对双Pearson模型作了评估。
【作 者】
:
庞海舟
阮刚
【机 构】
:
上海先进半导体制造有限公司,复旦大学电子工程系
【出 处】
:
微电子学
【发表日期】
:
1999年6期
【关键词】
:
半导体器件
离子注入工艺
B^+
As^+
Ionimplantation
Integratedcircuit
Processsimulation
SIMS
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对离子注入分布杂质浓度模拟的不同模型进行了简短的回顾,介绍了在SupremⅣ中采用的双Pearson分布模型。通过对B^+及As^+在不同剂量和能量下对硅中的注入,采用SIMS进行浓度分布测试,对双Pearson模型作了评估。
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