GaSb和InAs单晶衬底的晶格完整性

来源 :半导体学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：cnzhchch

【摘要】

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通过X线衍射分析和位错腐蚀,发现在GaSb(100)晶片的中心区域容易形成呈枝蔓状分布的高密度位错聚集区,这些位错引起严重的晶格畸变.通过分析晶体生长条件,证明生长过程中产生

【作者】

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吕小红赵有文孙文荣

【机构】

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中国科学院半导体研究所

【出处】

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半导体学报

【发表日期】

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2004年期

【关键词】

：

CaSb InAs 单晶晶格缺陷

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通过X线衍射分析和位错腐蚀,发现在GaSb(100)晶片的中心区域容易形成呈枝蔓状分布的高密度位错聚集区,这些位错引起严重的晶格畸变.通过分析晶体生长条件,证明生长过程中产生的大的温度过冷造成了晶体中心区域的枝蔓生长,产生大量位错.富As条件下生长的InAs单晶中产生大量与As过量有关的晶格缺陷,明显降低了晶体的完整性.

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