【摘 要】
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用直流磁控溅射法在室温Si基片上制备了溅射时间分别为5 min和10 min,氩气压强分别为0.7、3、6 Pa的6种Al膜,用光学相移法和X射线衍射法对Al膜的应力和微结构随着压强的变化
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用直流磁控溅射法在室温Si基片上制备了溅射时间分别为5 min和10 min,氩气压强分别为0.7、3、6 Pa的6种Al膜,用光学相移法和X射线衍射法对Al膜的应力和微结构随着压强的变化进行了研究.应力分析表明:在同一溅射时间,随着氩气压强的减小,Al膜厚度增大,在相同选区范围内,Al膜的应力差变小,应力分布趋于均匀.结构分析表明:制备的Al膜呈多晶状态,晶体结构仍为面心立方,在相同溅射时间下,压强为0.7 Pa的Al膜结晶度最好.随着压强的减小,平均晶粒尺寸和晶格常数增大.
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