基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺的10 GS/s、3 bit模数转换器

来源 :南京邮电大学学报:自然科学版 | 被引量 : 0次 | 上传用户：a0p5c115f6e

【摘要】

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基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,文中设计了超高速全并行模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s、精度为3 bit。该模数转换器采用全差分的电路结构,其中跟踪保持放大器采用电容增强

【作者】

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张翼沈宇李晓鹏杨磊刘中华郭宇锋

【机构】

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南京邮电大学电子与光学工程学院,南京邮电大学射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室,东南大学毫米波国家重点实验室,江苏亨鑫科技有限公司博士后工作站,南京国博电子有限公司

【出处】

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南京邮电大学学报:自然科学版

【发表日期】

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2019年5期

【关键词】

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全并行模数转换器 SIGE BICMOS工艺差分编码电路超高速 flash analog-to-digital converter(ADC)SiGe BiC

【基金项目】

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国家自然科学基金(61804081),中国博士后基金(2018M642292),东南大学毫米波国家重点实验室开放课题(K201727),射频集成与微组装技术国家地方联合工程实验室开放课题(KFJJ20170203),南京邮电大学校级科研基金(NY215138)资助项目

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基于0.13μm SiGe BiCMOS工艺,文中设计了超高速全并行模数转换器,其时钟采样率为10 GS/s、精度为3 bit。该模数转换器采用全差分的电路结构,其中跟踪保持放大器采用电容增强技术获得大带宽。设计中采用差分编码技术降低编码电路的误码率,提高工作速度。电路仿真结果表明,当时钟采样率为10 GS/s时,ADC电路的微分非线性和积分非线性均小于0.2 LSB。该ADC电路在输入信号频率低于10 MHz时的有效位数大于2.8位,在输入信号频率为1 GHz时的有效位数大于2.5位。在-5 V和-3.

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