环形RAM缓冲寄存器可产生长时间延时

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图所示的电路为八位数据提供了延时间隔。每个数的延时等于RAM存贮单元的总数除以脉冲频率(T=2~L/fc)。就图中所示元件而言,根据相应的脉冲速度,其延时范围为8.2毫秒至0.82秒。6264的300纳秒存取时间将脉冲的频率限定在2MHz以下。由于6264是静态存储器,因而电路无低频限制。 The circuit shown in the figure provides a delay for eight bits of data. The delay of each number equals the total number of RAM locations divided by the pulse frequency (T = 2 ~ L / fc). In the case of the components shown in the figure, the delay ranges from 8.2 ms to 0.82 seconds depending on the pulse speed. The 6264’s 300 nanosecond access time limits the pulse frequency below 2MHz. Since the 6264 is static memory, the circuit has no low frequency limit.
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