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介绍了低能X射线和γ射线的辐照剂量及器件阈电压漂移的测试方法.讨论了不同偏置条件和辐照方向对器件效应的影响.结果表明,对镀金Kovar合金封装的器件,在背向辐照的最劣辐照偏置下,X射线产生的阈电压漂移是60Co γ射线的13.4倍.
CMOS器件X射线与γ射线辐照效应比较
【摘 要】
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介绍了低能X射线和γ射线的辐照剂量及器件阈电压漂移的测试方法.讨论了不同偏置条件和辐照方向对器件效应的影响.结果表明,对镀金Kovar合金封装的器件,在背向辐照的最劣辐照
【机 构】
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中国科学院新疆物理研究所,新疆大学物理系
【出 处】
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核技术
【发表日期】
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2001年10期
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