【摘 要】
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日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用超小尺寸、热增强Pow-erPAK?SC-70封装的新款-30 V、12 V VGS P沟道TrenchFET?功率MOSFET——SiA453EDJ。该器件是2mm×2mm占
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日前,Vishay Intertechnology,Inc.宣布,推出采用超小尺寸、热增强Pow-erPAK?SC-70封装的新款-30 V、12 V VGS P沟道TrenchFET?功率MOSFET——SiA453EDJ。该器件是2mm×2mm占位面积的-30 V器件,在-4.5 V和-2.5 V栅极驱动下具有业内最低的导通电阻,在便携电子产品里能够节省空间,并提高能源效率。2014年4月29日发布的Vishay Siliconix这款-30 V VDS器件具有抵御过压尖峰所需的余量,其12 V VGS使器件在-3.7 V和-2.5 V下具有更低的
Vishay Intertechnology, Inc. today announced the SiA453EDJ, a new -30 V, 12 V VGS P-channel TrenchFET® power MOSFET in the ultra-small, thermally enhanced Pow-erPAK® SC-70 package. The device is a 2-by-2-mm-footprint 30-V device with the industry’s lowest on-resistance at -4.5 V and -2.5 V gate drive, saving space and improving energy efficiency in portable electronics. Vishay Siliconix, released April 29, 2014 This -30 V VDS device has the margin needed to withstand overvoltage spikes and its 12 V VGS allows the device to have a lower-at -3.7 V and -2.5 V
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