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文章提出一种Ｓｔａｔｚ ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ非线性电容模型参数的简单方法。它基于逐点拟合和综合拟合法，并以小信号模型数据分布在电容电压特性曲线的三个区为判据，判定提取的电容模型参数的正确性。计算表明，对偏置的电容Ｃｇｘ和Ｃｇｄ数据情况，提取Ｓｔａｔｚ非线性电容模型参数较适用。
一种提取Statz MESFE／T非线性电容模型参数的方法
【摘 要】
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文章提出一种Ｓｔａｔｚ ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ非线性电容模型参数的简单方法。它基于逐点拟合和综合拟合法，并以小信号模型数据分布在电容电压特性曲线的三个区为判据，判定提取的电容模型参数的正确性。计
【机 构】
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西安微电子技术研究所
【出 处】
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微电子学与计算机
【发表日期】
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2000年5期
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