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浸渍阴极基体研究进展
浸渍阴极基体研究进展
来源 :真空电子技术 | 被引量 : 0次 | 上传用户:zgys200901
【摘 要】
:
本文概述了浸渍阴极钨基体的制备。首先进行钨粉分级实验,选取具有最佳尺寸和形状的钨粉进行压制煅烧;其次总结了浸渍阴极钨基体的烧结温度对其烧结后的孔度均匀性以及孔度大
【作 者】
:
方荣
田宏
陆玉新
朱虹
谷兵
【机 构】
:
中国科学院电子学研究所,天津交通职业学院
【出 处】
:
真空电子技术
【发表日期】
:
2015年6期
【关键词】
:
阴极基体
钨粉
烧结
孔度
Cathode matrix
Tungsten powder
Sintering
Porosity
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本文概述了浸渍阴极钨基体的制备。首先进行钨粉分级实验,选取具有最佳尺寸和形状的钨粉进行压制煅烧;其次总结了浸渍阴极钨基体的烧结温度对其烧结后的孔度均匀性以及孔度大小的影响;最后介绍了掺杂稀有金属或稀土氧化物的混合基体的制备方法、发射特性等发展现状。
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