【摘 要】
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用X射线光电子能谱和同步辐射光电子能谱研究了Sb掺杂的钙钛矿型氧化物SrTi1-xSbxO3(x=0.05, 0.10, 0.15, 0.20) 薄膜的电子结构.薄膜由紫外脉冲激光淀积在SrTiO3(001)单晶衬
【机 构】
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中国科学院高能物理研究所北京同步辐射试验室,中国科学院物理研究所与凝聚态物理中心光物理试验室
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用X射线光电子能谱和同步辐射光电子能谱研究了Sb掺杂的钙钛矿型氧化物SrTi1-xSbxO3(x=0.05, 0.10, 0.15, 0.20) 薄膜的电子结构.薄膜由紫外脉冲激光淀积在SrTiO3(001)单晶衬底上.该薄膜系列在可见光波段透明,透过率均超过90%.其导电性与掺杂浓度有关,当Sb掺杂浓度x=0.05时, 薄膜显示金属型导电性.X射线光电子能谱和同步辐射光电子能谱研究结果表明, Sb掺杂在母化合物SrTiO3的禁带内引入了浅杂质能级和深杂质能级.浅杂质能级上的退局域化电子离化到导带中会产生一定的传导电子,这是SrTi0.95Sb0.05O3薄膜金属型导电性的起源.杂质带与导带中低的电子态密度限制了跃迁概率和光吸收.大的禁带宽度,小的跃迁概率和弱的光吸收,是该导电薄膜具有较高光学透明度的原因.
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