低温烧结制度对ZnO-Bi2O3基压敏陶瓷显微结构与电性能的影响

来源 :陶瓷学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：liuyunvc

【摘要】

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采用传统电子陶瓷的制备工艺,制备了相同Bi_2O_3含量、Sb_2O_3/Bi_2O_3比分别为0.25、0.50的ZnO-Bi_2O_3基压敏陶瓷,研究在800℃-950℃区间内一步烧结与两步烧结制度对陶瓷的

【作者】

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程丽红 Slavko Bernik Matejka Podl

【机构】

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江西科技师范大学,JozefStefanInstitute,中国科学院上海硅酸盐研究所

【出处】

：

陶瓷学报

【发表日期】

：

2017年5期

【关键词】

：

ZNO 压敏显微结构电性能 ZnO varistor microstructure electrical properties

【基金项目】

：

国家自然科学基金（51107140）, 江西科技师范大学博士科研启动项目

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采用传统电子陶瓷的制备工艺,制备了相同Bi_2O_3含量、Sb_2O_3/Bi_2O_3比分别为0.25、0.50的ZnO-Bi_2O_3基压敏陶瓷,研究在800℃-950℃区间内一步烧结与两步烧结制度对陶瓷的显微结构与电性能的影响。显微结构分析表明,烧结过程中足够的Bi_2O_3液相有利于烧结,而且能够促进晶粒内含反演边界（Inversion Boundary）的ZnO晶粒的长大。烧成的样品具有发育良好的显微结构：高的致密度、均匀的含Bi第二相分布以及粒径,而且电性能良好：压敏电压327-670 V/m

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