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利用STM对金属有机络合物电双稳材料Ag-TCNQ薄膜进行电学性质的表征与改性, 在针尖强电场的作用下,当电压达到某一阈值后薄膜从高阻态跃迁至低阻态,这两种高低阻态分别定义为一个存储单元的"0"与"1"状态.本文考虑到在STM的常规恒流工作模式下 ,针尖与样品之间的隧道结对于电学性质的表征与改性具有影响.为此测量隧道电流It 对隧道结宽度Z的依赖关系I-Z曲线,从而确定针尖刚好接触样品的接触点,利用STM 进行了针尖与样品"接触式"的电学测量和表