【摘 要】
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以五水硝酸铋﹑草酸和钛酸四丁酯为原料,采用化学共沉淀法,制得钛酸铋（BIT）粉体。然后采用多层晶粒生长法,通过丝网印刷制得BIT压电陶瓷厚膜。借助XRD和SEM对产物晶体结构进行表
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以五水硝酸铋﹑草酸和钛酸四丁酯为原料,采用化学共沉淀法,制得钛酸铋（BIT）粉体。然后采用多层晶粒生长法,通过丝网印刷制得BIT压电陶瓷厚膜。借助XRD和SEM对产物晶体结构进行表征,并研究烧结温度对取向度的影响。结果表明,650oC煅烧2 h可获得单一晶相的BIT粉体,经球磨后得到粒径小于1μm纳米粉体。1 200oC,升温速率10oC/min,保温2 h时烧结的BIT厚膜在（00k）方向上取向度最高,达到95.50%。
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