用MOCVD法在LiGaO2（001）上生长GaN的研究

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【摘要】

：

LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用

【作者】

：

杨卫桥干福熹邓佩珍徐军李抒智张荣

【机构】

：

中国科学院上海光学精密机械研究所,南京大学物理系

【出处】

：

无机材料学报

【发表日期】

：

2003年1期

【关键词】

：

GAN LiGaO2 MOCVD法半导体材料氮化镓金属有机物气相沉积外延薄膜外延生长 GaN LiGaO2 MOCVD

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LiGaO2单晶是目前所知的GaN最为理想的衬底材料,本研究用金属有机物气相沉积法(MOCVD)在LiGaO2(001)衬底上进行了外延生长GaN膜的试验,生长出了表面较为平整的GaN外延膜.应用原子力显微镜(AFM)、X射线粉末衍射(XRD)和高分辨X射线双晶衍射分别对衬底对外延膜和衬底材料进行了分析测试.结果表明,用MOCVD法可以在LiGaO2(001)衬底上生长出较高质量的无掺杂GaN(0001)外延膜.但由于MOCVD法是在高温还原气氛中生长GaN外延膜的,LiGaO2在这种气氛中不够稳定,实验

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