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本文使用5—27 keV能量范围的电子轰击纯厚Al(Z=13),Ti(Z=22),Zr(Z=40),W(Z=74)和Au(Z=79)靶,利用硅漂移探测器(SDD)收集产生的X射线,给出了K,L壳层特征X射线产额的测量结果,并将所得实验数据与基于扭曲波玻恩近似理论模型(DWBA)的蒙特卡罗模拟值进行了比较,两者在小于或约为10%的范围内符合.根据测得的特征X射线产额进一步得到了相应的内壳层电离截面或特征X射线产生截面.通过对比电子入射角度为45°和90°的两种情况下解析模型与蒙特卡罗模拟