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用电子陶瓷工艺制备了三种不同掺杂比例的临界热敏电阻CTR（Critical Temperature Resister），根据样品对应的热谱中的相变点，找出Fe2O3掺杂量与相变点的关系。从微观半导体理论分析晶粒体电特性，求解泊松方程，得出晶粒体中电势垒与受主杂质Fe2O3掺杂量的关系。结果表明：当x（Fe2O3）为10％-25％时，相变温度增加值△t和摩尔分数增加值（△x）^2呈线性关系。