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采用射频磁控溅射法在氧化铝陶瓷基底上制备了Cr-Si-Ni-Ti压阻薄膜，研究了不同退火温度对薄膜电性能的影响。结果表明：在溅射态及退火温度低于600℃时，薄膜为非晶态。随着退火温度的升高，薄膜的电阻温度系数（TCR）逐渐增大，应变因子（GF）先增大后减小，室温电阻率（P）则逐渐降低。在退火温度为300℃时，Cr-Si-Ni-Ti压阻薄膜的电性能最好：TCR为-1．1×10^-6／℃，GF为2．2，P为0．662Ω·cm。