IDT推出高精度全硅CMOS振荡器

来源 :世界电子元器件 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fenggge886
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IDT~(?)公司宣布,推出业界精度最高的全硅CMOS振荡器,在整个温度、电压和其他因数方面实现了100ppm总频率误差。IDT3C02振荡器采用IDT专利的CMOS振荡器技术,可以用一个100ppm及以下频率精度的单片CMOS IC取代基于石英晶体的振荡器,并采用非常薄的外形,而无需使 IDT® announces the introduction of the industry’s highest precision all-silicon CMOS oscillator, which achieves 100 ppm total frequency error over temperature, voltage and other factors. IDT3C02 Oscillator Featuring IDT’s patented CMOS oscillator technology, a quartz crystal-based oscillator can be replaced with a monolithic CMOS IC with frequency accuracy of 100ppm and below with a very thin profile without the need to
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