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研究了不同气氛下快速预热处理（RTA）后，硅片中的流动图形缺陷（FPDs）密度和随后两步热处理形成的魔幻清洁区（MDZ）之间的关系．硅片经过高温快速预热处理后，再经过800℃（4h）＋1000℃（16h）常规退火，以形成MDZ．研究发现，当硅片在Ar气氛或N2／O2（9％）混合气氛下RTA预处理后，FPDs密度较低，随后热处理出现的氧沉淀诱生缺陷密度较高、清洁区较宽．对于N2／O2混和气氛，随着O2含量的增加，FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度变小，纯O2气氛下预处理后硅片中FPDs和氧沉淀诱生缺陷密度最低．因