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传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速.本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作者的工作介绍了高介电栅介质在晶化温度、低介电界面层、介电击穿和金属栅电极等方面的最新研究进展.
高介电栅介质材料研究进展
【摘 要】
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传统的栅介质材料SiO2不能满足CMOS晶体管尺度进一步缩小的要求,因此高介电栅介质材料在近几年得到了广泛的研究,进展迅速.本文综述了国内外对高介电材料的研究成果,并结合作
【机 构】
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中国科学院新疆理化技术研究所,中国科学院北京半导体所,中国科学院研究生院
【出 处】
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无机材料学报
【发表日期】
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2008年5期
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