PlatNiStrip^TM镍铂薄膜工艺帮助65-nm技术节点

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三月,FSI国际有限公司董事长兼首席执行官Don Mitchell来到上海,向业界宣布FSI推出一项新的研发成果,这项新的镍铂剥离工艺将帮助集成电路制造商在65-nm技术节点实现自对准金属硅化物(Salicide)的形成.FSI使用其ZETA喷雾式清洗系统开发出了这项PlatNiStripTM工艺,并且与领先的集成电路制造商合作,在65-nm试验线设备上对该工艺进行了验证.这项低成本的工艺可以在标准的ZETA系统上采用行业标准的化学品实现.
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