AlN缓冲层对Si基GaN外延薄膜性质的影响

来源 :发光学报 | 被引量 : 0次 | 上传用户：dusl520

【摘要】

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采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN缓冲层厚度的GaN样品,研究了AlN缓冲层厚度对CaN外延层的应力、表面形貌和晶体质量的影响.研究结果表明:厚度为15 n

【作者】

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陈翔邢艳辉韩军霍文娟钟林健崔明范亚明张宝顺

【机构】

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北京工业大学电子信息与控制工程学院光电子技术省部共建教育部重点实验室,中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

【出处】

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发光学报

【发表日期】

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2014年6期

【关键词】

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ALN缓冲层 GAN SI衬底张应力 MOCVD Atomic force microscopy Buffer layers Cracks Epitaxial

【基金项目】

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国家自然科学基金，国家杰出青年科学基金，北京市自然科学基金，北京市教委科研计划

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采用金属有机化合物化学气相沉积(MOCVD)方法制备了不同AlN缓冲层厚度的GaN样品,研究了AlN缓冲层厚度对CaN外延层的应力、表面形貌和晶体质量的影响.研究结果表明:厚度为15 nm的AlN缓冲层不仅可以有效抑制Si扩散,而且还给GaN外延层提供了一个较大的压应力,避免GaN薄膜出现裂纹.在该厚度AlN缓冲层上制备的GaN薄膜表面光亮、无裂纹,受到的张应力为0.3 GPa,(0002)和(1012)面的高分辨X射线衍射摇摆曲线峰值半高宽分别为536 arcsec和594 arcsec,原子力显微镜测

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