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目的
应用静息态功能磁共振成像(rs–fMRI)技术对注意缺陷多动障碍(ADHD)儿童两半球间的功能连接强度进行研究，探讨ADHD的神经机制。
方法2012年10月至2014年4月对学龄期ADHD与正常儿童各31名分别进行功能磁共振成像(fMRI)扫描，采用半球间同伦(VMHC)的方法进行分析研究。
结果ADHD组与正常对照组比较均显示出正激活脑区，提示其VMHC值高于正常儿童的脑区主要位于双侧前额叶(t＝5.81)，双侧枕叶(t＝5.82)，双侧小脑后叶(t＝6.17)，组间差异有统计学意义(FDR校正Q<0.01)。
结论ADHD儿童双侧前额叶间的功能连接强度增加表现为注意力及工作记忆障碍；两侧枕叶间增强使启动记忆过程变缓；而小脑间的高连接强度使神经环路受损，加重ADHD症状。