【摘 要】
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相比硅单晶衬底,硅外延材料电参数均匀性更好,结晶质量更理想,现已成为制备功率器件的关键基础材料。当前半导体行业的迅猛发展,研发工作频率更高的功率器件的迫切性愈加突出
【机 构】
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中国电子科技集团公司第四十六研究所
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相比硅单晶衬底,硅外延材料电参数均匀性更好,结晶质量更理想,现已成为制备功率器件的关键基础材料。当前半导体行业的迅猛发展,研发工作频率更高的功率器件的迫切性愈加突出,其关键点是进一步提升器件耐压的基础上,能够减小正向导通电压和发热功耗。文章以150mm的大尺寸硅抛光片为衬底,生长高均匀性外延层,结合傅里叶变换红外线光谱分析（FT-IR）、电容-电压测试（C-V）等测试设备对外延电学参数进行了分析。通过对外延炉的流场、热场与厚度、电阻率均匀性相互作用规律进行了研究,制备出高均匀性的外延层。研究表明外延层厚度
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