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设计了一种新型半导体集成光源AlGaAs短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构,采用直接耦合方式将超辐射发光管与光放大器集成在一起,在脉冲条件下获得了输出功率为57mW的超辐射,谱线宽度(FWHM)为20nm,放大器的增益为21dB。
AlGaAs短波长超辐射集成光源
【摘 要】
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设计了一种新型半导体集成光源AlGaAs短波长超辐射集成光源。器件为单量子阱、增益导引的氧化物条形结构,采用直接耦合方式将超辐射发光管与光放大器集成在一起,在脉冲条件下获得了输出功率为57mW的超辐射,谱线宽度(FWHM)为20nm,放大器的增益为21dB。
【机 构】
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吉林大学电子工程系,集成光电子学国家重点联合实验室,长春130023MaterialResearchCenter,NorthwestenUniversity,Evanston,IL60208-3108
【出 处】
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光学学报
【发表日期】
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1998年18期
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