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运用Floquet定理对泄漏同轴电缆辐射模式进行了分析，得出了单模辐射产生的条件，然后研究了高次模辐射的抑制，分别讨论了对垂直开槽和倾斜开槽的泄漏同轴电缆实现单模辐射频带扩展的具体方法，为泄漏同轴电缆在宽带通信中应用提供了理论基础．
泄漏同轴电缆单模辐射频带扩展技术的研究
【摘 要】
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运用Floquet定理对泄漏同轴电缆辐射模式进行了分析，得出了单模辐射产生的条件，然后研究了高次模辐射的抑制，分别讨论了对垂直开槽和倾斜开槽的泄漏同轴电缆实现单模辐射频带扩
【机 构】
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哈尔滨工程大学信息与通信工程学院
【出 处】
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应用科技
【发表日期】
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2006年3期
【基金项目】
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黑龙江省自然科学基金资助项F1（F2004-18）,哈尔滨市留学同国人员基金资助项目（2004AFLXJ011）,哈尔滨工程大学引进人才基金资助项目（HEUFT0409）.
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