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研究了BiVO4对MgTiO3介质陶瓷烧结特性、相组成和介电性能的影响。结果表明,BiVO4能有效促使MgTiO3陶瓷烧结温度从1 400℃降至900℃以下。X-射线衍射（XRD）表明BiVO4相和MgTiO3相共存。随着BiVO4含量增大,陶瓷致密化温度降低,体积密度和介电常数εr逐渐增大,品质因数Q×f急剧下降,频率温度系数τf向负值方向移动。添加w（MgTiO3）=4%的陶瓷在900℃烧结2 h,获得最佳性能：εr=18.53,Q×f=6 832 GHz,τf=-55×