英特尔研制出世界上速度最快的20nm硅晶体管

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最近,英特尔公司研究人员研制出目前世界上速度最快的硅晶体管,再次证明了摩尔定律的适用性在未来的10 年中没有根本性的障碍。这些新研制出来的仅有20nm的晶体管将能够使英特尔公司在2007年左右制造出包含近 10亿只晶体管的微处理器,其运行速度接近20GHz,操作电压低于1V。英特尔实验室的研究人员是6月13日在日本东京举行的“2001年硅纳米电子设备研讨会(2001 Silicon Nano- electronics Workshop)”上发布这一消息的。由英特尔实验室研究人员研制出来的这些晶体管的尺寸仅有20nm,比英特尔去年发布的业界此前最快的晶体管体积小30%、速度快25%(注:nm等于十亿分之一米)。晶体管的体积越小、速度越快,并且快速晶体管是创建快速微处理器的关键构件,而微处理器则是计算机以及其他众多智能型设备的“大脑”。这些晶体管将是英特尔0.045μm Recently, Intel researchers have developed the world's fastest silicon transistors, proving once again that the applicability of Moore's Law there is no fundamental obstacle in the next 10 years. These newly developed 20-nm transistors will enable Intel to make a microprocessor with nearly 1 billion transistors around 2007, operating at speeds approaching 20 GHz and operating at voltages below 1V. Researchers at Intel Labs released the news at the 2001 Silicon Nano-electronics Workshop in Tokyo, Japan, June 13th. Developed by Intel lab researchers, these transistors are only 20nm in size, 30% smaller and 25% faster than Intel's fastest-ever transistor in the industry released last year (Note: nm equals one billionth of a meter). The smaller the transistor, the faster it is, and the fast transistor is the key building block for a fast microprocessor, which is the “brain” of computers and many other smart devices. These transistors will be Intel's 0.045μm
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