烧结温度对合成Ti3SiC2材料的影响及反应机理的研究

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以Ti/SI/C为原料,采用反应烧结方法制备Ti3SiC2材料,并分析反应烧结机理。结果表明,以3Ti/1.2Si/2C为起始原料,烧结温度在1250—1300℃之间,可以得到Ti3SiC2含量90%以上的Ti3SiC2材料。Ti3SiC2的反应合成机理是固-液反应,即:Ti3SiC2和β—Ti形成液相,液相冉与TiC反应,进而合成Ti3SiC2。
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