生长温度对Si衬底ZnO薄膜结构的影响

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通过脉冲激光沉积方法在1.3Pa氧氛固,100—500℃衬底温度,Si(111)衬底上成功地制备了ZnO薄膜,我们用X射线衍射(XRD)谱.原子力显微镜(AFM),透射电镜(TEM)对其表面形貌和结构进行了测试和分析。通过测试分析得知,这些ZnO薄膜在生长温度加0℃时能够获得较好的晶体结构,薄膜表面平整,晶粒均匀。
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