【摘 要】
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微互连铜柱凸点因其密度高、导电性好、噪声小被广泛应用于存储芯片、高性能计算芯片等封装领域,研究铜柱凸点界面行为对明确其失效机理和组织演变规律、提升倒装封装可靠性
【机 构】
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华南理工大学电子与信息学院,工业和信息化部电子第五研究所
【基金项目】
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“十三五”预研项目（批准号：JAB1728050）, 广东省自然科学基金（批准号：2016A030310361,2015A030310331）, 广东省科技计划项目（批准号：2015B090912002）, 电子元器件可靠性物理及其应用技术重点实验室基金（批准号：614280601041705）资助的课题~~
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微互连铜柱凸点因其密度高、导电性好、噪声小被广泛应用于存储芯片、高性能计算芯片等封装领域,研究铜柱凸点界面行为对明确其失效机理和组织演变规律、提升倒装封装可靠性具有重要意义.采用热电应力实验、在线电学监测、红外热像测试和微观组织分析等方法,研究Cu/Ni/SnAg_1.8/Cu微互连倒装铜凸点在温度100—150℃、电流密度2×10~4—3×10~4 A/cm~2热电应力下的互连界面行为、寿命分布、失效机理及其影响因素.铜柱凸点在热电应力下的界面行为可分为Cu_6Sn_5生长和Sn焊料
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