【摘 要】
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1991年Decher [1]首先从带相反电荷的聚电解质, 通过静电相互作用在基片上交替沉积形成超薄膜, 这种通过静电作用形成超薄膜的方法称为静电自组装. 与L-B膜技术相比, 静
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1991年Decher [1]首先从带相反电荷的聚电解质, 通过静电相互作用在基片上交替沉积形成超薄膜, 这种通过静电作用形成超薄膜的方法称为静电自组装. 与L-B膜技术相比, 静电自组装不需要专用设备, 一般在水体系进行, 无污染. 此外, 静电力比形成 L-B膜的范德华力强, 从而使其自组装膜比L-B膜要稳定. 由于这些优点, 静电自组装技术近年来得到迅速发展 [2~8]. 通过氢键作用形成超薄膜的方法(氢键自组装)是最近才发展起来的技术. 1997年, 沈家骢等 [9,10]通过静电吸引
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