【摘 要】
：
对晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格结构外延片 ,运用等离子增强化学气相沉积法镀Si O2 膜 ,随后用碘钨灯快速热退火 ,进行无杂质空位扩散 ( IFVD)技术的实验研究 ,测量光
【机 构】
：
华中理工大学光电子工程系!武汉430074,华中理工大学光电子工程系!武汉430074,华中理工大学光电子工程系!武汉430074
论文部分内容阅读
对晶格与 In P匹配的 In Ga As P超晶格结构外延片 ,运用等离子增强化学气相沉积法镀Si O2 膜 ,随后用碘钨灯快速热退火 ,进行无杂质空位扩散 ( IFVD)技术的实验研究 ,测量光致发光谱后得到了最大 50 nm的峰值位置蓝移 ;表明在没有掺杂和没有应变的情况下 ,IFVD仍有较好的处理量子阱材料的能力 .对影响 IFVD工艺的重复性因素进行了探讨 .
For In Ga As P superlattice structure epitaxial wafers with In P matched with In P, Si O 2 films were deposited by plasma enhanced chemical vapor deposition followed by rapid thermal annealing with iodine-tungsten lamp for IFVD Experimental results show that the peak position of maximum 50 nm is blue-shifted after measuring the photoluminescence spectra, indicating that IFVD has better capability of processing quantum well material without doping and without strain. Repeatability factors were discussed.
其他文献
目的：建立食品过敏原羽扇豆成分的环介导等温扩增检测方法(loop-mediated isothermal amplification, LAMP)。方法根据羽扇豆的 ITS 基因设计羽扇豆的特异性引物,进行特异度、
目的采用免疫亲和净化手段和高效液相色谱(HPLC)检测技术,建立富含色素类中药材中黄曲霉毒素(AFT)的测定方法,为中药材中AFT的检测和污染调查提供技术支撑。方法中药材样品经
为实现电力系统继电保护的仿真校验,开发了电力系统故障暂态仿真ADCMX软件包.该软件由系统等值模块、故障仿真模块、数据库和图形操作模块、保护仿真接口模块构成.文中应用了
从可测性设计角度讨论了信息安全处理芯片的芯片级测试控制器的设计以及相应核的可测性设计.综合结果显示,所设计的芯片级测试控制器所占用的面积代价非常小.
研究了拉曼放大器中放大的自发拉曼散射对拉曼开-关增益的影响,并提出了一种利用自发拉曼散射谱来调整拉曼放大器拉曼开-关增益平坦的方法,实验采用4个波长为14xx nm的激光二
利用降膜吸收试验系统 ,研究了在不同的溶液降膜流动雷诺数 Re下 ,无活性介质和加有3× 1 0 -5质量浓度 2 -乙基己醇的溴化锂水溶液降膜吸收强化过程 .结果表明 ,上述两种情
用等离子体增强化学气相淀积 (PECVD)生长了 2 0 0nm的SiGe薄膜 ,然后将C离子注入SiGe层 ,经两步热退火处理制备了Si1 -x -yGexCy 三元合金半导体薄膜 .应用卢瑟福背散射 (RB
本文提出了结合卫星多波束天线 ,利用径向基函数 (RBF)神经网络实现通信卫星干扰源精确定位的方法 ,这种方法可获得很高的定位精度 ,且能直接获得信号DOA估计的闭式解 ,从而避免其它经典的高精度DOA估计方法 (如MUSIC、ML等 )所必需的全方位峰值搜索 ,同时由于神经网络优异的并行运算能力 ,所提方法具有实时估计的优越性 ,有望应用于实际的实时定位系统中。计算机仿真也验证了这一方法的可行性
利用一类耦合Riccati方程组的某些特解构造了非线性耦合Schrodinger-KdV方程组一批精确解析解,获得了该方程组若干形式一般的精确解及两组新的孤波解.