【摘 要】
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利用电子自旋共振波谱（ESR）研究了在N2气中γ射线辐射诱导聚碳硅烷（PCS）自由基的产生和演变行为.ESR谱图分析结果表明,γ射线辐射诱导PCS产生的自由基为硅自由基（≡Si·）.低剂
【机 构】
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上海大学理学院,中国科学院上海应用物理研究所
【基金项目】
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中国科学院战略性先导科技专项子课题(批准号:XDA02040300);国家自然科学基金(批准号:11575279);上海市自然科学基金(批准号:15ZR1448600)资助~~
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利用电子自旋共振波谱（ESR）研究了在N2气中γ射线辐射诱导聚碳硅烷（PCS）自由基的产生和演变行为.ESR谱图分析结果表明,γ射线辐射诱导PCS产生的自由基为硅自由基（≡Si·）.低剂量辐照时硅自由基的浓度随吸收剂量的增加而线性增加,硅自由基的辐射化学产额G值约为9,吸收剂量达到200 k Gy后,硅自由基的浓度趋于饱和.室温下硅自由基的浓度随存储时间的延长而逐渐降低,在N2气中存储时硅自由基的半衰期约23 d,在空气中存储时硅自由基的氧化反应导致衰减速率加快,半衰期仅为8 h.温度升高硅自由
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