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介绍了硼酸锂铯（CLBO）晶体的应用前景及在化学机械抛光过程中存在的问题，简要分析了晶体在常温下开裂的机理，选用无水溶剂对晶体进行化学机械抛光以防止加工过程中晶体的潮解开裂。分析了抛光液、压力、温度、pH值参数对抛光过程的影响，通过合适配比使速率可达1．5-2μm／min，且表面质量较好。
CLBO晶体化学机械抛光技术的研究
【摘 要】
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介绍了硼酸锂铯（CLBO）晶体的应用前景及在化学机械抛光过程中存在的问题，简要分析了晶体在常温下开裂的机理，选用无水溶剂对晶体进行化学机械抛光以防止加工过程中晶体的潮解开裂
【机 构】
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河北工业大学微电子研究所
【出 处】
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微纳电子技术
【发表日期】
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2006年10期
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