PECVD非晶SiOx：H薄膜的Si——O——Si键红外吸收特性研究

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【摘要】

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用傅里叶红外光谱(FT-IR)测试分析了等离子体化学气相沉积法沉积的非晶SiOx∶H(0≤x≤2.0)薄膜中的Si— O —Si伸缩振动模与氧含量x的关系。Si— O —Si伸缩振动模在1000和11

【作者】

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何乐年

【机构】

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浙江大学信息与电子工程学系

【出处】

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真空科学与技术

【发表日期】

：

2001年1期

【关键词】

：

等离子体增强化学气相沉积红外吸收光谱非晶氧化硅薄膜硅氧键

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用傅里叶红外光谱(FT-IR)测试分析了等离子体化学气相沉积法沉积的非晶SiOx∶H(0≤x≤2.0)薄膜中的Si— O —Si伸缩振动模与氧含量x的关系。Si— O —Si伸缩振动模在1000和1150 cm-1有两个吸收峰。1000和1150 cm-1吸收带的积分吸收强度之和Isum与薄膜中的Si原子密度NSi之比Isum／NSi,在x=0～2.0范围内与x成正比。求得比例系数ASiO(Si— O —Si谐振子强度的倒数)为1.48×1019 cm-1。用此比例系数可快速简便地用FT-IR求

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