【摘 要】
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介绍了CMOS混频器主要技术指标的设计思路和技术。采用0．18μm CMOS工艺，使用Agilent公司的ADS软件设计出一种5．8GHzCMOS混频器电路，结果表明，工作电压1．8V时，RF频率5．8GHz，本振频率5．7
【机 构】
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中国电子科技集团公司第十三研究所,国防科技信息研究中心
【基金项目】
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国家自然科学基金重点资助项目(90307016);国家预研项目(E0617010)
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介绍了CMOS混频器主要技术指标的设计思路和技术。采用0．18μm CMOS工艺，使用Agilent公司的ADS软件设计出一种5．8GHzCMOS混频器电路，结果表明，工作电压1．8V时，RF频率5．8GHz，本振频率5．78GHz，中频频率20MHz下，转换增益7．3dB、输入1dB压缩点-8．3dBm，噪声系数8．7，工作电流小于5mA，该电路已交付流片。
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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技
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