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为了建立忆阻器的电导模型，基于TiO2忆阻器的荷控数学模型分析了其无源和有源的磁控数学模型，并设计了实现其伏安特性的双口电路模型，对电路模型进行了理论分析。利用Multisim对磁控忆阻器的电路模型进行了仿真验证，不同参数条件下的仿真结果与磁控忆阻器模型的特性完全一致。
TiO2忆阻器的磁控模型分析及电路实现
【摘 要】
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为了建立忆阻器的电导模型，基于TiO2忆阻器的荷控数学模型分析了其无源和有源的磁控数学模型，并设计了实现其伏安特性的双口电路模型，对电路模型进行了理论分析。利用Multisim对
【机 构】
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杭州电子科技大学射频电路与系统教育部重点实验室
【出 处】
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杭州电子科技大学学报
【发表日期】
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2015年2期
【基金项目】
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国家自然科学基金资助项目（61271064,60971046）,浙江省自然科学基金重点资助项目（LZ12F01001）,浙江省重点科技创新团队资助项目（2010R50010）
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