一种高性能无片外电容型LDO设计

来源 :微电子学与计算机 | 被引量 : 0次 | 上传用户:huanzhonga
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设计了一种高性能无片外电容型LDO线性稳压器.其中,EA采用推挽输出放大器设计,在静态时保持低功耗,瞬态响应时提供大的输出电流,提高LDO的响应速率.高环路增益使LDO电路具有很高的稳压精度;采用零点补偿技术,保证了LDO环路稳定性.LDO采用0.13μm CMOS工艺设计,仿真结果表明,在1.2V~2.0V输入电压下,LDO输出稳定的1.0V电压,输出负载电流为50μA~100mA,最大负载电容可达到100pF,低频PSR为-67.5dB@100mA~-85.5dB@50μA,负载调整率0.8μV/mA
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