制备条件对NiO／SDC阳极基体上LSGMC膜性能的影响

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【摘要】

：

以未完全晶化的La0.8Sr0.2Ga0.8Mg0.115Co0.085O3-δ（LSGMC）为原料，用胶体沉积法在NiO／SDC阳极基体上制备出LSGMC膜。用X射线衍射方法（XRD）、直流四端法和扫描电子显微镜（SEM）研究制

【作者】

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韩艳红贺天民

【机构】

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吉林大学物理学院

【出处】

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电源技术

【发表日期】

：

2006年10期

【关键词】

：

掺杂镓酸镧固体电解质膜电学性能 doped lanthanum gallate solid electrolyte film electrical pr

【基金项目】

：

吉林省科技发展项目（2000322）　

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以未完全晶化的La0.8Sr0.2Ga0.8Mg0.115Co0.085O3-δ（LSGMC）为原料，用胶体沉积法在NiO／SDC阳极基体上制备出LSGMC膜。用X射线衍射方法（XRD）、直流四端法和扫描电子显微镜（SEM）研究制备条件对LSGMC膜相成分、电学性能和表面形貌的影响。研究结果表明。阳极基体煅烧温度对LSGMC膜的电学性能具有强烈的影响。LSGMC膜经1400℃烧结10h具有较高的电学性能和致密性。1400℃烧结10h的LSGMC膜800℃时的电导率达到0．97S／cm。研究还表明。由于LS

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