【摘 要】
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利用四元叠层硒化法制备了铜铟镓硒(缩写为CIGS)薄膜,重点分析了在叠层法制备CIGS薄膜过程中,基底温度对CIGS薄膜的晶体结构,表面形貌以及各种元素沿深度分布的影响.实验结果
【机 构】
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北京大学重离子物理研究所,北京,100871
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利用四元叠层硒化法制备了铜铟镓硒(缩写为CIGS)薄膜,重点分析了在叠层法制备CIGS薄膜过程中,基底温度对CIGS薄膜的晶体结构,表面形貌以及各种元素沿深度分布的影响.实验结果表明,在叠层法制备CIGS薄膜时,发现在550℃的基底温度时,不经过退火便可以生成CIGS晶体,表面Ga的含量处于比较合适的范围.而基底温度为500℃,450℃时,只能生成铜铟硒(CIS)晶体,Ga元素表面的含量较少,主要分布在薄膜底部.
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