第四种无源电子元件忆阻器的研究及应用进展

来源 :电子元件与材料 | 被引量 : 0次 | 上传用户:hmxxg
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
忆阻器是一类具有电阻记忆行为的非线性电路元件,被认为是除电阻、电容、电感外的第四个基本电路元件。综述了忆阻器和忆阻系统概念的产生与发展过程,实现忆阻功能的几种模型与机理,如边界迁移、自旋阻塞、绝缘体-金属转变、丝导电、氧化还原反应等。阐述了忆阻器和忆阻系统在模型分析、生物记忆行为仿真、基础电路和器件设计方面的应用前景。
其他文献
2009年2月上旬,由中海石油投资控股有限公司投资兴建的3000t/a二氧化碳制可降解塑料生产装置投料成功并产出合格产品。该项目总投资1.52亿元,于2007年7月动工建设。
介绍了金属有机化学气相沉积(Metal-Organic Chemical Vapor Deposition,MOCVD)法横向外延过生长GaN薄膜的原理,阐述了该技术形成选择生长和减少GaN薄膜缺陷密度的机理。综述了该
界面层裂是塑封半导体器件的主要失效模式之一。采用通用有限元软件MSC.MARC,研究了FCOB(基板倒装焊)器件在热循环(-55-+125℃)载荷作用下,底充胶与芯片界面的层裂问题。结果表明:底充
研究了Ni的含量对无铅钎料Sn-3.0Ag-0.5Cu润湿性、熔点、重熔及老化条件下界面化合物(IMC)的影响。结果表明:微量Ni的加入使SnAgCu润湿力增加6%;使合金熔点略升高约3℃;重熔时在界面形
利用射频磁控溅射技术及MEMS技术,制备了曲折状三明治结构的CoFeSiB/Cu/CoFeSiB多层膜,在1~40 MHz频率下,研究了多层膜的纵向和横向巨磁阻抗效应以及相应的电阻、电抗变化率.