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采用高温热蒸发法在金刚石表面镀覆SiO2，用扫描电镜（SEM）、X线衍射（XRD）和能谱分析对SiO2的形貌与物相组成进行观察与分析，研究SiO2晶体的生长机制。结果表明，在较低温度下（1300℃）金刚石表面生成SiC和SiO2颗粒，无法形成涂层。温度升高到1400℃时，金刚石表面形成许多由C，Si，O元素组成的细小蝌蚪状组织。当温度升高到1500℃时，金刚石表面镀覆良好的Si-O涂层，Si-O涂层上有许多SiO2晶粒、微米棒与晶须。SiO2晶体的生长机制为：首先在金刚石表面沉积一层Si-O涂层，然后在该