【摘 要】
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为了研究机械磨损、化学腐蚀对锗锑碲(GeSbTe)相变材料微观损伤行为的影响,利用原子力显微镜(AFM)及SiO2探针对GeSbTe表面在不同工况下产生的微观损伤进行了研究.实验结果表
【机 构】
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江苏大学智能柔性机械电子研究院,江苏镇江 212013
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为了研究机械磨损、化学腐蚀对锗锑碲(GeSbTe)相变材料微观损伤行为的影响,利用原子力显微镜(AFM)及SiO2探针对GeSbTe表面在不同工况下产生的微观损伤进行了研究.实验结果表明:在大气环境下,GeSbTe表面经过单次面磨损(面扫描)会形成一个方形磨坑.该磨坑在NaOH碱性溶液中会发生腐蚀,同时磨坑深度随腐蚀时间增加而增加.在NaOH溶液中对GeSbTe表面进行单次面磨损同样产生方形磨坑,并且该磨坑深度也随腐蚀时间的增加而增加.由大气环境下不同法向载荷磨损对比实验可知,腐蚀前的机械作用会促进后续腐蚀损伤.GeSbTe表面自然氧化层的腐蚀实验表明GeSbTe表面自然氧化层在NaOH溶液中的腐蚀可忽略,并且对GeSbTe次表层起掩膜作用.由于NaOH溶液中SiO2探针与GeSbTe表面存在润滑及双电层作用,致使面磨损损伤较轻微,即对表面自然氧化层的损伤小,导致后续腐蚀损伤轻微.本研究结果有助于理解GeSbTe的化学机械抛光(CMP)机理.
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