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采用微波等离子体化学气相沉积方法（ＭＷＰＣＶＤ），以Ｃ６０膜作为过渡层，在石英（ＳｉＯ２）衬底表面，首次在等离子体预处理中，无衬底负偏压条件下，生长出金刚石晶粒。通过扫描电镜（ＳＥＭ）观察到金刚石晶粒呈菜花状，生长表面为（１００）晶面。
C60作为石英衬底过渡层汽相生长金刚石薄膜
【摘 要】
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采用微波等离子体化学气相沉积方法（ＭＷＰＣＶＤ），以Ｃ６０膜作为过渡层，在石英（ＳｉＯ２）衬底表面，首次在等离子体预处理中，无衬底负偏压条件下，生长出金刚石晶粒。通过扫描电镜（ＳＥＭ）观察到金刚石晶粒呈菜花状，生长表
【机 构】
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湘潭大学,郑州大学
【出 处】
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半导体光电
【发表日期】
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1998年3期
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