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理论分析了不同填充因子、不同腔长的阵列器件在同样的连续输出功率下的热分布情况,讨论了金刚石热沉对阵列器件散热的影响以及比较了双面散热与单面散热时阵列器件的热分布效果。在理论分析的基础上,采用宽波导结构,2mm腔长,80%填充因子阵列结构,实现了176W的连续输出。
连续百瓦级高功率半导体阵列激光器热效应分析
【摘 要】
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理论分析了不同填充因子、不同腔长的阵列器件在同样的连续输出功率下的热分布情况,讨论了金刚石热沉对阵列器件散热的影响以及比较了双面散热与单面散热时阵列器件的热分布
【机 构】
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中国科学院半导体研究所
【出 处】
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激光与光电子学进展
【发表日期】
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2010年9期
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