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利用磁控溅射,通过溅射过程中施加一横向静磁场,并在真空中退火的方法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜.当偏置磁场从4800 A/m增加到9600 A/m时,薄膜的应力阻抗从0.5%提高到1.65%.在2 Pa溅射气压和9600 A/m的偏置场下,获得了1.65%的阻抗相对变化.
溅射气压和偏置磁场对FeSiCoB薄膜应力阻抗性能的影响
【摘 要】
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利用磁控溅射,通过溅射过程中施加一横向静磁场,并在真空中退火的方法在玻璃基片上制备了FeCoSiB薄膜.当偏置磁场从4800 A/m增加到9600 A/m时,薄膜的应力阻抗从0.5%提高到1.6
【机 构】
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西昌学院,电子科技大学
【出 处】
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真空电子技术
【发表日期】
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2005年1期
【基金项目】
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国防预研基金
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